【摘 要】
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临界电流密度Jc比以前实验高出300倍的超导薄膜已经成功地沉积在硅片上。美国新泽西州制文斯顿贝尔通讯设备研究所的科学家,日本电气公司和拉特格斯大学的研究人员合作,在硅
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临界电流密度Jc比以前实验高出300倍的超导薄膜已经成功地沉积在硅片上。美国新泽西州制文斯顿贝尔通讯设备研究所的科学家,日本电气公司和拉特格斯大学的研究人员合作,在硅的衬底上沉积出临
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