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采用防穿通注入的工艺方案，对提高２μｍｐＭＯＳ管的源漏穿通电压应选用的工艺条件做了实验研究。给出了加防穿通注入工艺的实验结果及其对Ｖ＿（Ｔｐ）的影响。
2μmp阱CMOS工艺中提高源—漏穿通电压的方法
【摘 要】
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采用防穿通注入的工艺方案，对提高２μｍｐＭＯＳ管的源漏穿通电压应选用的工艺条件做了实验研究。给出了加防穿通注入工艺的实验结果及其对Ｖ＿（Ｔｐ）的影响。
【机 构】
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清华大学微电子所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1994年3期
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