【摘 要】
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单片ＧａＡｓ ＨＢＴ ｐ－ｉ－ｎ二极管可变增益放大器、衰减器和开关在ＧａＡｓＨＢＴ工艺中，人们可以用现有的材料层制作ｐ－ｉ－ｎ二极管，并可将其与ＨＢＴ集成在同一块单片上。ＨＢＴ器件结构的轻掺杂集电区层可用作ｐ－ｉ－ｎ的本征层；重掺杂基区
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单片ＧａＡｓ ＨＢＴ ｐ－ｉ－ｎ二极管可变增益放大器、衰减器和开关在ＧａＡｓＨＢＴ工艺中，人们可以用现有的材料层制作ｐ－ｉ－ｎ二极管，并可将其与ＨＢＴ集成在同一块单片上。ＨＢＴ器件结构的轻掺杂集电区层可用作ｐ－ｉ－ｎ的本征层；重掺杂基区和第二集电区可...
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