GaN和AlxGa1-xN/CaN异质结的高温性质

• 作 者: 王茂俊 沈波 王彦 黄森 许福军 许谏 杨志坚 张国义
• 机 构: 北京大学物理学院
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2007年z1期
• 关键词: GAN AlxGa1-xN/GaN异质结 位错 HALL 高温
• 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60325413),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908),教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:705002)和北京市自然科学基金(批准号,4062017)资助项目

通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅度和GaN的位错密度也存在正比关系,说明位错相关的深施主或者陷阱对GaN在高温下的背景浓度有很大影响.实验发现AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气的浓度在室温到250℃的范围内随着温度的升高而下降,然后随着温度的升高开始增加.前者主要是由于随着温度的升高,AlxGa1-xN/GaN