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本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法，通过对器件外基区下对应的外延层区域进行了离子补偿注入，降低相应外延层中的净掺杂浓度，有效地减小了外基区－集电区单位面积的集电结电容，有利于器件和电路速度的提高。由于内基区下对应的外延层浓度不变，对器件的直流特性无不良影响。本文给出了补偿注入研究结果和器件特性。