论文部分内容阅读
在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度、高电源抑制带隙电压基准源。采用二阶曲率补偿技术，电路采用预电压调整电路，为基准电路提供稳定的电源，提高了电源抑制比，在提高精度的同时兼顾了电源抑制比，整个电路采用了CSMC 0.5μm标准CMOS工艺实现，采用spectre进行进行仿真，仿真结果显示当温度为-40℃－80℃，输出基准电压变化小于1mV，温度系数为3．29×10^-6℃，低频时（1kHz）的电源抑制比达到75dB，基准电路在高于3．3V电源电压下可以稳定工作，具有较