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测量了不同温度下，外场分别平行于样品ab面和平行于c轴两种情况下的MH磁滞回线和I-V特性曲线，从磁测量和传输测量计算出临界电流密度和钉扎力密度。同时测量了两个方向上的磁弛豫，并由此估算了它的有效钉扎势。通过比较这两个方向上的静态和动态特性，我们发现在高度c-轴取向MgB2薄膜中。钉扎力的各向异性主要来自于超导体固有的各向异性，其主要的钉扎中心是各向同性的正常态点缺陷。