硅基超晶格Ⅵ（A）／Si6／SiO2／Si6／Ⅵ（A）的电子结构

• 作 者: 陈捷 黄美纯
• 机 构: 厦门大学物理学系
• 出 处: 厦门大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2007年2期
• 关键词: 超晶格 硅基材料 能带结构 superlattice Si-based materialelectronic band structures

硅的有效光发射是硅基光电器件研究的一个关键问题，因此一直受到广泛的关注．本文采用第一性原理对新的硅基材料Ⅵ（A）／Sim／SiO2／Sim／Ⅵ（A）（m=6，Ⅵ（A）=O，Se）的能带结构、态密度和电荷密度等进行了计算研究．通过改变掺人Ⅵ（A）族原子氧和硒的对比，分析了SiO2层、不同的Ⅵ（A）族原子以及它们与最近邻Si原子的相互作用对硅基材料电子性质的影响．研究表明，在局域密度近似（LDA）下，O／Si6／SiO2／Si6／O结构在X点存在准直接带隙的特征，而Se／Si6／SiO2／Si6／Se在Г点存