【摘 要】
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本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10~(14)～1.2×10~(19)cm~(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10~(14)cm~(-3),μ
【机 构】
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中国科学院上海冶金所 上海 200050
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本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10~(14)～1.2×10~(19)cm~(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10~(14)cm~(-3),μ_(77)=8.47×10~4cm/V.s。深入研究了Be反扩散所引起的E-B结和B-C结偏位的抑制。并给出了用该材料研制出的HBT单管(β=50,f_T=7.5GHz,在2GHz下,G=13dB)和NTL及CML倒相器逻辑单元电路(其中NTL在电流电压2V下,逻辑摆幅为20mV)的结果。
This paper reports the high-quality AlGaAs / GaAs monolayer and multilayer structures for n-p-n HBT grown by MBE technology. The doping concentration of Sin - doped GaAs is 1.8 × 10 ~ (14) ~ 1.2 × 10 ~ (19) cm ~ (-3) and n = 1.8 × 10 ~ (14) cm ~ μ_ (77) = 8.47 × 10 ~ 4cm / Vs. In-depth study of Be anti-diffusion caused by the E-B node and B-C junction offset inhibition. And the circuit of single-tube HBT (β = 50, f_T = 7.5GHz, G = 13dB at 2GHz) and NTL and CML inverter logic cell circuits were developed. The current of NTL at 2V, Logic swing of 20mV) results.
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