【摘 要】
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早在本世纪三十年代初期Bridgman 和Alien等人就对晶体的压阻效应做了很多工作.1954年C.S.Smith 发现了锗和硅的压阻效应.不久,Herring和Vogt等人对半导体的压阻效应进行了理
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早在本世纪三十年代初期Bridgman 和Alien等人就对晶体的压阻效应做了很多工作.1954年C.S.Smith 发现了锗和硅的压阻效应.不久,Herring和Vogt等人对半导体的压阻效应进行了理论研究,提出了半导体能带结构的多谷模型,为半导体压阻传感器的出现奠定了理论基础. 一、半导体压阻效
Bridgman and Alien et al. Did much work on the piezoresistive effect of the crystal as early as the early 1930s. The piezoresistive effect of germanium and silicon was discovered by CSSmith in 1954. Shortly after Herring and Vogt et al. Resistance effect has been studied theoretically, and a multi-valley model of semiconductor band structure has been proposed, which has laid a theoretical foundation for the emergence of semiconductor piezoresistive sensor.
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