【摘 要】
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研究了高压LDMOS(lateral double-diffused MOS)晶体管中一种特殊的电流饱和现象——准饱和效应.借助于TCAD模拟工具,澄清了准饱和效应的物理机理是漂移区载流子的速度饱和.
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院,上海宏力半导体制造有限公司,
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研究了高压LDMOS(lateral double-diffused MOS)晶体管中一种特殊的电流饱和现象——准饱和效应.借助于TCAD模拟工具,澄清了准饱和效应的物理机理是漂移区载流子的速度饱和.进而从本征漏极电压Vk入手,给出了描述LDMOS管电流饱和特性的数学模型.该模型已经通过了Matlab的编程验证,兼具准确性、计算速度和可扩展性等优点,并可进一步应用于SPICE电路模拟.
A special current saturation phenomenon - quasi-saturation effect in a lateral double-diffused MOS (MOS) transistor is investigated.The physical mechanism of the quasi-saturation effect is clarified by means of the TCAD simulation tool, which is the velocity saturation of carriers in the drift region. Then, starting from the intrinsic drain voltage Vk, a mathematic model describing the current saturation of the LDMOS transistor is given. The model has been verified by Matlab and has the advantages of accuracy, computational speed and scalability. Applied to SPICE circuit simulation.
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