采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀SiO_2的干法光刻

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sese4546

【摘要】

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采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀ＳｉＯ＿２的干法光刻ＤｒｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＯ＿２［刊，英］／Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ，Ｋ．Ｄ．…　∥Ａｐｐ... Dry lithography using focused ion beam implantation and reactive ion etching of SiO 2 Drylithography us

【出处】

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微电子学

【发表日期】

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1994年02期

【关键词】

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反应离子刻蚀 SiO_2 聚焦离子束掩模光刻技术离子束光刻集成制造腐蚀速率砷剂离子轰击

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