环境友好半导体Ca2Si晶体生长及其性能研究

• 作 者: 崔冬萌 任雪勇 谢泉 付姗姗 周文娟
• 机 构: 贵州大学电子科学与信息技术学院
• 出 处: 吉林大学学报：信息科学版
• 发表日期: 2008年5期
• 关键词: Ca2Si晶体 直接带隙材料 太阳能电池 Ca2Si crystal direct wide gap material solar battery

环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体，在室温下，其禁带宽度为1．9eV，且在4．5eV以下能量范围内，Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2，因此，有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等。综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展，由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料，因此，提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想。展望了Ca2Si的应用前景，探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。