【摘 要】
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采用X射线光电子能谱技术、椭圆偏振技术、氦离子沟道技术和氢分布技术,对暴露于CH_4/H_2等离子的硅表面进行了特性分析;等离子照射导致淀积一层薄的(～30块)C,F—聚合物层;在
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采用X射线光电子能谱技术、椭圆偏振技术、氦离子沟道技术和氢分布技术,对暴露于CH_4/H_2等离子的硅表面进行了特性分析;等离子照射导致淀积一层薄的(～30块)C,F—聚合物层;在距硅表面超过400埃的近表面区可以检测到氢和/或损伤(硅原子被置换)。
X-ray photoelectron spectroscopy, ellipsometry, helium ion channel and hydrogen distribution techniques were used to characterize the surface of the silicon exposed to CH_4 / H_2 plasma. Plasma irradiation led to the deposition of a thin layer of ~ 30 ) C, F-polymer layer; hydrogen and / or damage (silicon atoms are displaced) can be detected in the near-surface region that exceeds 400 angstroms from the silicon surface.
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