U型槽隔离技术研究

• 作 者: 谢明纲 何德湛 陈明琪 吴佛春
• 机 构: 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
• 出 处: 微电子学与计算机
• 发表日期: 1987年07期
• 关键词: 隔离技术 等平面隔离 U型槽 双极型集成电路 反应离子刻蚀 门延迟 技术研制 纯氢 热分解 环形振荡器

本文报导的U 型槽隔离技术,是采用反应离子刻蚀形成U 型槽,然后用多晶硅填槽,其多晶硅是用3—5%的SiH(?)与超纯氢的混合物在600-650℃下热分解生成的,典型生长速率为300-500(?)/min。采用此技术研制的双极型集成电路,取得了好的等平面隔离效果.所研制出的电路,每门延迟时间为0.8-0.9ns(其中,最快达350ps)

U-shaped trench isolation technology reported in this article is the use of reactive ion etching to form a U-shaped groove, and then filled with polysilicon tank, the polysilicon is 3-5% SiH (?) And ultra-pure hydrogen mixture at 600-650 ℃ Under the thermal decomposition generated, the typical growth rate of 300-500 (?) / Min. Bipolar integrated circuits developed with this technology have achieved good iso-surface isolation.The developed circuit has a delay time of 0.8-0.9ns per gate (of which the fastest is 350ps)