射频衬底偏压溅射TLMM薄膜电容器

• 作 者: 胡南山 姚国荣 俞志中 乔世忠
• 机 构: 上海电子通讯设备研究所,上海电子通讯设备研究所,上海测试技术研究所,上海测试技术研究所
• 出 处: 电子元件与材料
• 发表日期: 1985年05期
• 关键词: 偏压 薄膜电容器 溅射 半导体薄膜 电容器 五氧化二钽 衬底 温度系数 TLMM 热老化

在五氧化二钽介质薄膜上复合一层二氧化铅掺杂二氧化锰的半导体薄膜首次制作成功了TLMM薄膜电容器。由于应用射频衬底偏压溅射和Al占93％的钽铝下电极,还应用了在PbO_2中掺杂MnO_2,以及真空充氧热老化等方法,不仅使电容器的损耗角正切值降低至0.1—0.3％(1kHz),而且温度系数也得到了改善。

The TLMM thin-film capacitor was fabricated for the first time by compounding a layer of lead dioxide-doped manganese dioxide on a tantalum pentoxide dielectric film. Due to the application of RF substrate bias sputtering and 93% Al with tantalum-aluminum electrodes, the method of doping MnO_2 in PbO_2 and thermal aging in vacuum oxygenation not only reduced the loss tangent of the capacitor to 0.1 -0.3% (1kHz), and the temperature coefficient has also been improved.