【摘 要】
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本文对射频溅射掺钇的非晶硅膜a-Si:H（Y）用CWCO2激光束进行退火作了研究。当采用所谓激光打点式退火时,光束直径1mm,每个点照射时间10秒,晶化阈值功率不高于9W。当照射功率14.5
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本文对射频溅射掺钇的非晶硅膜a-Si:H（Y）用CWCO2激光束进行退火作了研究。当采用所谓激光打点式退火时,光束直径1mm,每个点照射时间10秒,晶化阈值功率不高于9W。当照射功率14.5W,晶化的平均晶粒尺寸为500（?）,相应的室温电导率提高4个数量级。当采用扫描式激光退火,提高了功率密度,平均晶粒尺寸为1060（?）。 另外,本文对CWCO2激光退火机理作了初步讨论。更多还原
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