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高质量InAs单晶材料的制备及其性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Vilmar

【作 者】

：

赵有文  孙文荣  段满龙  董志远  杨子祥  吕旭如  王应 

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年08期

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