高电子迁移率晶体管(HEMT)

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据日本富士通公司报导,近五年来为实现高速计算机、高速数据处理及高性能系统做了种种努力。近来取得了较大突破,尤其在亚微米技术方面。这是实现大规模集成的重要里程碑。在液氮温度(77K)下,开关时间可达8.5ps,室温下为12ps。这表明该器件不仪在低温下有很大优点,而且在正常温度范围确实也具有超高速性能,从而大大扩展了HEMT的温度使用范围。本文就其基本原理、结构、材料和 According to Japan’s Fujitsu Ltd., nearly five years have made efforts to realize high-speed computers, high-speed data processing and high-performance systems. Recently made a major breakthrough, especially in the sub-micron technology. This is an important milestone for large-scale integration. At liquid nitrogen temperature (77K), the switching time is up to 8.5ps and at room temperature to 12ps. This shows that the device does not have the great advantages of low temperature, and in the normal temperature range does have ultra-high speed performance, thus greatly expanding the HEMT temperature range. This article on its basic principles, structure, materials and
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