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在对锰氧化物的晶体结构、电子结构和电子态及其CMR效应的可能机理进行全面论述的基础上，报道作者对La0.67Ca0.33MnO3掺Ga磁电阻的研究，实验结果表明Ca掺杂破坏了DE作用，使电阻率上升而磁胡序转变推移到低温，但值得强调指出的是，Ga掺杂使磁电阻效应显著提高，证明Mn位元素替代是提高CMR的一种可能机理。