论文部分内容阅读
铝键合点的表面沾污增强了对铝合金化表面的腐蚀，并导致微芯片的失效。过去大量的工作多集中在由等离子工艺引起的含氟的无机沾污；很少接触到键合点的有机沾污。飞行时间二次离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）提供了一个探测和分析微芯片键合点上有机沾污的芯片，另一个是无沾污芯片。根据对ＴＯＦ－ＳＩＭＳ的特征谱线和离子像的研究，认为沾污点是由某些以ＣＨｘ和ＮＨｙ结构组成的有机化合物造成的，并对铝有腐蚀作用。经分析发现这