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基于能量最小近氦模型，研究了应变异质结外延材料，中产生了Ｆｒａｎｄ－Ｒｅａｄ源以释放失配能力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度，对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间的最小距离。
应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank—Read源的关系研究
【摘 要】
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基于能量最小近氦模型，研究了应变异质结外延材料，中产生了Ｆｒａｎｄ－Ｒｅａｄ源以释放失配能力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度，对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年3期
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