【摘 要】
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研究了GaN/GaAl N量子阱内电子的激发态极化(EESP)的压力效应,计算中考虑了纤锌矿结构材料的晶格常数、形变势的各向异性,以及内建电场(IEF)的作用.结果表明:电子势垒高度随
【机 构】
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内蒙古农业大学理学院,内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古农业大学理学院 内蒙古呼和浩特010018,内蒙古呼和浩特010022,内蒙古呼和浩特010022,内蒙
【出 处】
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内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)
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研究了GaN/GaAl N量子阱内电子的激发态极化(EESP)的压力效应,计算中考虑了纤锌矿结构材料的晶格常数、形变势的各向异性,以及内建电场(IEF)的作用.结果表明:电子势垒高度随压力下降;电子基态有效质量随压力下降而电子的第一激发态有效质量随压力上升;EESP强度随压力缓慢上升;电子极化的偶极矩随Al浓度非线性下降.一般情况下,EESP对IEF的影响可忽略,但当掺杂浓度n足够大(n>1019/cm3)时,EESP可屏蔽IEF.
The pressure effect of electron excited state polarization (EESP) in GaN / GaAl N quantum wells was studied. The lattice constants, anisotropies of deformation potential and wastage of the built-in electric field (IEF) The results show that the height of the electron barrier decreases with pressure, the effective mass of the ground state decreases with the decrease of the pressure, and the effective mass of the first excited state of the electron increases with the increase of the pressure. The intensity of EESP increases slowly with the pressure. In general, the effect of EESP on IEF is negligible, but EESP masks IEF when the doping concentration n is large enough (n> 1019 / cm3).
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