【摘 要】
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本文介绍了 ALE 的生长模型以及它与一般 VPE (包括 MOCVD)、MBE 技术的根本区别。ALE 已成功地用于生长 TeCd、CdMnTe、GaAs、InP、ZnS、ZnTe、ZnO、Ta_2O_5等多种薄膜。也
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本文介绍了 ALE 的生长模型以及它与一般 VPE (包括 MOCVD)、MBE 技术的根本区别。ALE 已成功地用于生长 TeCd、CdMnTe、GaAs、InP、ZnS、ZnTe、ZnO、Ta_2O_5等多种薄膜。也可利用 ALE 在相当低的温度下生长 Si 单晶膜:用氩作载气引入氯化硅,再输入氢
This article describes the ALE growth model and its basic VPE (including MOCVD), MBE technology, the fundamental difference. ALE has been successfully used to grow TeCd, CdMnTe, GaAs, InP, ZnS, ZnTe, ZnO, Ta_2O_5 and other thin films. ALE can also be used to grow the Si single-crystal film at a relatively low temperature: silicon tetrachloride is introduced with a carrier gas of argon and hydrogen
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