【摘 要】
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研究了离子束溅射(IBS)制备的Nb2O5薄膜的光学特性、应力、薄膜微结构等特性,系统地分析了辅助离子源的离子束能量和离子束流对薄膜特性的影响.结果显示,在辅助离子源不同参
【机 构】
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浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,
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研究了离子束溅射(IBS)制备的Nb2O5薄膜的光学特性、应力、薄膜微结构等特性,系统地分析了辅助离子源的离子束能量和离子束流对薄膜特性的影响.结果显示,在辅助离子源不同参数情况下,折射率在波长550nm处为2.310—2.276,应力值为-281—-152MPa.在合适的工艺参数下,消光系数可小于10-4,薄膜具有很好的表面平整度.与用离子辅助沉积(IAD)制备的薄膜相比,IBS制备的薄膜具有更好的光学特性和薄膜微结构.
The effects of ion beam energy and ion beam current on the film properties of Nb2O5 thin films prepared by ion beam sputtering (IBS) were investigated systematically, including optical properties, stress and microstructure of thin films. The results show that With different parameters of the auxiliary ion source, the refractive index is 2.310-2.276 at a wavelength of 550nm and the stress value is -281-152MPa. Under suitable process parameters, the extinction coefficient can be less than 10-4, and the film has good surface smoothness Degree.Compared with films prepared by ion-assisted deposition (IAD), IBS films have better optical properties and film microstructure.
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