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本文探讨了掺Ｓｉ对Ｂ４Ｃ半导体的热电性能（包括电导率、热导率及Ｓｅｅｂｅｃｋ系数）及显微结构的影响，应用小极化子跃迁机制，讨论了Ｓｉ掺杂Ｂ４Ｃ半导体的传输行为。
Si掺杂B4C半导体的热电性能
【摘 要】
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本文探讨了掺Ｓｉ对Ｂ４Ｃ半导体的热电性能（包括电导率、热导率及Ｓｅｅｂｅｃｋ系数）及显微结构的影响，应用小极化子跃迁机制，讨论了Ｓｉ掺杂Ｂ４Ｃ半导体的传输行为。
【机 构】
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武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年8期
【基金项目】
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国家教委跨世纪优秀人才基金
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