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采用垂直提拉法生长了Ce:Mn:SBN晶体.测试了晶体的位相共轭反射率、自泵浦位相共轭反射率和响应时间.以Ce:Mn:SBN晶体位相共轭镜作阈值、增益反馈系统,以Zn:Fe:LiNbO3晶体作为存储介质,实现了关联存储.Ce:Mn:SBN晶体的位相共轭性能优于SBN晶体.
Ce:Mn:SBN晶体的生长及位相共轭效应的研究
【摘 要】
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采用垂直提拉法生长了Ce:Mn:SBN晶体.测试了晶体的位相共轭反射率、自泵浦位相共轭反射率和响应时间.以Ce:Mn:SBN晶体位相共轭镜作阈值、增益反馈系统,以Zn:Fe:LiNbO3晶体作
【机 构】
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哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2004年期
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