【摘 要】
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本文根据硅单晶生长工艺中近年来的发展动向,系统地描述了中子嬗变掺杂硅(NTD)的原理、历史、工艺、放射性、损伤产生机理、退火处理、材料性能和应用。指出这种掺杂方法所获
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本文根据硅单晶生长工艺中近年来的发展动向,系统地描述了中子嬗变掺杂硅(NTD)的原理、历史、工艺、放射性、损伤产生机理、退火处理、材料性能和应用。指出这种掺杂方法所获得的电阻率均匀性是任何其它方法无可比拟的,并有用于大规模生产的趋向。
In this paper, the principle, history, process, radioactivity, damage generation mechanism, annealing treatment, material properties and application of neutron transmutation of doped silicon (NTD) are systematically described according to the development trend of silicon single crystal growth process in recent years. It is pointed out that the uniformity of resistivity obtained by this doping method is unmatched by any other method and has a tendency to be used for mass production.
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