【摘 要】
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n 型碲镉汞在80°K 受电子辐照后电子密度增加,其速率取决于瞬时电子密度——费密能级。为说明这些结果,提出了缺陷能级模型,它由远离导带边缘的施主能级(0/+)以及接近价带边
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n 型碲镉汞在80°K 受电子辐照后电子密度增加,其速率取决于瞬时电子密度——费密能级。为说明这些结果,提出了缺陷能级模型,它由远离导带边缘的施主能级(0/+)以及接近价带边缘的受主能级(-/0)组成。电子相对引进速率和电子密度关系的计算值,和实验结果很一致。
The electron density of n-type HgCdTe irradiated by electrons at 80 ° K increases with the rate dependent on the instantaneous electron density, Fermi level. To illustrate these results, a defect level model is proposed that consists of a donor level (0 / +) away from the conduction band edge and an acceptor level (- / 0) near the edge of the valence band. The calculated value of electron relative introduction rate and electron density is consistent with the experimental results.
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