【摘 要】
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这种快速脉冲放大器的开关电压20千伏,上升时间只要几毫微秒,负载基本上是容性的晶体光门。所用的平板三极管为EIMAC X2172、8941等,原设计工作于3千兆赫,窄脉冲(50毫微秒)
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这种快速脉冲放大器的开关电压20千伏,上升时间只要几毫微秒,负载基本上是容性的晶体光门。所用的平板三极管为EIMAC X2172、8941等,原设计工作于3千兆赫,窄脉冲(50毫微秒)的峰值功率近500千瓦。文章主要谈电路设计考虑,如栅极电路采用恒电阻性的桥T网络,以克服共阴极组态的带宽限制。
The fast pulse amplifier switching voltage of 20 kV, rise time as long as a few nanoseconds, the load is basically a capacitive crystal light door. The use of flat-panel transistor EIMAC X2172, 8941, etc., the original design work at 3 GHz, narrow pulse (50 ns) peak power of nearly 500 kilowatts. The article mainly discusses the circuit design considerations, such as the gate circuit using a constant resistive bridge T network to overcome the common cathode configuration of the bandwidth limit.
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