SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析

• 作 者: 王广甫 刘超 李建平
• 机 构: 北京师范大学分析测试中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
• 出 处: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
• 发表日期: 2004年7期
• 关键词: SiGe合金 SGOI薄膜 卢瑟福背散射分析

SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析.与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度,Ge含量及其深度分析,Si过渡层和SiO<,2>层厚度,并有较好的测量精度.