【摘 要】
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本文报道用开管充气扩散法制备InSb的p-n结,使探测器的零偏压阻抗和探测率得到很大的提高。结合采用表面钝化技术后,器件的反向击穿电压也大大提高,单元器件的边缘效应和多
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所
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本文报道用开管充气扩散法制备InSb的p-n结,使探测器的零偏压阻抗和探测率得到很大的提高。结合采用表面钝化技术后,器件的反向击穿电压也大大提高,单元器件的边缘效应和多元列阵的串音问题也得到较彻底的解决。现已用此工艺制造出高性能的单元、64元InSb列阵器件及10元TDI和20元多路传输红外COD。
In this paper, we report the p-n junction of InSb fabricated by the open-tube inflation diffusion method. The zero-bias impedance and detection rate of the detector are greatly improved. Combined with the use of surface passivation technology, the reverse breakdown voltage of the device is also greatly enhanced, the edge effects of multi-element array devices and crosstalk problems have been more thoroughly resolved. This process has been used to create high-performance unit, 64 InSb array devices and 10 yuan TDI and 20 yuan multiplex infrared COD.
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