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建立精确的衬底电流模型是分析ＭＯＳＦＥＴ器件及电路可靠性和进行ＭＯＳＦＥＴ电路设计所必需的。在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的解析模型，模型公式简单。对模型进行了验证，研究了衬底掺杂浓度与栅氧化层厚度对拟合因子的影响，并分析了模型中拟合因子的物理意义。
MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正
【摘 要】
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建立精确的衬底电流模型是分析ＭＯＳＦＥＴ器件及电路可靠性和进行ＭＯＳＦＥＴ电路设计所必需的。在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的解析模型，模型公式简单。对模型进行
【机 构】
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清华大学微电子所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年2期
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