热退火γAl2O3／Si异质结构薄膜质量改进

• 作 者: 谭利文 刘忠立 等
• 机 构: 中国科学院半导体研究所材料中心,中国科学院半导体研究所微电子研发中心
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2002年11期
• 关键词: 热退火 γAl2O3 Si异质结构薄膜 SOI MOCVD γ氧化铝 半导体 Al2O3 SOI MOCVD annealing
• 基金项目: 国家重点基础研究专项经费资助项目 (No.G2 0 0 0 0 3 65 )~~

采用高真空MOCVD外延技术，利用TMA（Al（CH3）3和O2作为反应源，在Si（100）衬底上外延生长γ－Al2O3绝缘膜形成γ－Al2O3／Si异质结构材料，同时，引入外延后退火工艺以便改善γ－Al2O3薄膜的晶体质量及电学性能。测试结果表明，通过在O2常压下的退火工艺可以有效地消除γ－Al2O3外延层的残余热应力及孪晶缺陷，改善外延层的晶体质量，同时可以提高MOS电容的抗击穿能力，降低漏电电流。