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期刊论文
非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型
非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zjx1978_0901
【摘 要】
:
用数值方法与解析方法相结合,导出了非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于SPICE程序中的MOST模型,但是所有参数都用数值方法处理过,因此是一个概念清晰,计算量小的高精
【作 者】
:
陈军宁
柯导明
【机 构】
:
安徽大学物理系,中国科技大学物理系
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1999年2期
【关键词】
:
非均匀掺杂衬底
硅晶体管
阈值电压
解析模型
NonuniformlyDopedSubstrateNumericalSimulationThresholdVol
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用数值方法与解析方法相结合,导出了非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于SPICE程序中的MOST模型,但是所有参数都用数值方法处理过,因此是一个概念清晰,计算量小的高精度模型,该模型可用于电路分析程序。
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