Fairchild从封装及硅设计两方面提高MOSFET的性能

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半导体器件的工作电压正在降到1V。例如:今后几年,微处理器的工作电压将降低到1V,而电流将成倍地增加,从现在的20A上升到50A、60A、甚至80A。预计最先使用低电压半导体的是可携式电子产品,那么,对DC/DC转换器的要求就不只是高效率,还要求提高功率密度、减少产生的热量、减少器件数量、减少在印制电路板的设计复杂程度以及器件的安装面积等。这对MOSFET制造商出了挑战:提供性能更好的 The working voltage of the semiconductor device is dropping to 1V. For example: In the next few years, the operating voltage of the microprocessor will be reduced to 1V, and the current will increase exponentially, from the current 20A to 50A, 60A, or even 80A. It is expected that the first to use low-voltage semiconductors is portable electronic products, then, the requirements of the DC / DC converter is not only high efficiency, but also requires to increase the power density, reduce the heat generated, reducing the number of devices, reduce printing Circuit board design complexity and device mounting area. This poses a challenge for MOSFET manufacturers: to provide better performance
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