p+-A1xGa1-xAs/p-n-n+-GaAs型太阳能电池的两步液相外延生长

• 作 者: 刘翔 谭红琳 吴长树 陈庭金 袁海荣
• 机 构: 昆明理工大学材料与冶金工程学院材料系昆明650051;云南师范大学太阳能研究所昆明650092
• 出 处: 新能源
• 发表日期: 2000年12期
• 关键词: 液相外延生长 p+-AlxGa1.xAs/p-n-n+-GaAs太阳能电池 两步法

两步液相外延生长是制作高质量、高效率p+-A1xGa1.xAs/p-n-n+-GaAs型太阳能电池的关键.本文就此问题进行了研究,得出结论:n-GaAs外延层是制作整个太阳能电池的关键之一;两步液相外延生长p+-AlxGa1+rAs/p-n-n+-GaAs型太阳能电池,与一步液相外延生长相比,提高了电流密度(J..).