【摘 要】
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应用反胶束法制备了稀磁半导体Cd1-xMnxS量子点.量子点的大小可通过改变ωo值(ωo=[水]/[表面活性剂])来控制.高分辨透射电镜的分析结果表明,量子点呈单分散性,是几乎没有缺
【机 构】
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中山大学化学与化学工程学院,香港科技大学物理系,香港科技大学化学系
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应用反胶束法制备了稀磁半导体Cd1-xMnxS量子点.量子点的大小可通过改变ωo值(ωo=[水]/[表面活性剂])来控制.高分辨透射电镜的分析结果表明,量子点呈单分散性,是几乎没有缺陷的单晶体.量子点的大小约为4.8～6 nm,随ωo值增大而增大.电子能谱(EDS)测定结果表明,Mn2+离子在量子点中的摩尔分数为1.5%.由电子自旋共振(ESR)分析确定一部分Mn2+离子取代Cd2+离子位置而位于晶格,另一部分Mn2+离子位于Cd1-xMnxS的表面或间隙位置.吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝
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