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【摘 要】
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The performance enhancement of conventional Si MOSFETs through device scaling is becoming increasingly difficult.The application of high mobility channel materi
【机 构】
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SchoolofMicro-NanoElectronics,StateKeyDisciplineLaboratoryofWideBandgapSemiconductorTechnology,Schoo
【出 处】
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半导体学报:英文版
【发表日期】
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2021年2期
【基金项目】
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This work was supported,in part,by the Zhejiang Provincial Natural Science Foundation of China under Grant LR18F040001 and in part by the Fundamental Research Funds for the Central Universities
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