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为了研究方形激光晶体Nd：GdVO4在超高斯泵浦光分布下的热效应，采用半解析的分析方法，进行了理论分析和实验验证．结果表明：当使用输出功率为15W的半导体激光器端面中心入射时，在抽运端面中心获得1．38μm最大热形变量（超高斯阶次为2时）和220mm的热焦距（超高斯阶次为5时）．
不同激光分布下Nd：GdVO4晶体热焦距分析
【摘 要】
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为了研究方形激光晶体Nd：GdVO4在超高斯泵浦光分布下的热效应，采用半解析的分析方法，进行了理论分析和实验验证．结果表明：当使用输出功率为15W的半导体激光器端面中心入射时，在抽运
【机 构】
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西安建筑科技大学理学院物理系
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2009年6期
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