离子束光刻

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离子束光刻是最近几年发展起来的一种新型光刻工艺。为了制作1微米和1微米以下的线宽结构,目前能够提供工业生产考虑的光刻方法主要有三种:光学方法、电子束方法和X射线方法。在当前工业生产中,前两种方法已广泛用于制作线宽在2微米以上的器件和掩模。虽然已能利用这两种方法制作出亚微米线宽结构,但至今还不能走出实验室,距生产应用还有一段路程。在不久的将来X射线光刻,很有可能成为制作亚微米线宽结构的最廉价方 Ion beam lithography is a new lithography process developed in recent years. There are mainly three photolithographic methods currently available for industrial production in order to make linewidth structures below 1 micron and 1 micron: optical, electron beam and X-ray methods. In the current industrial production, the first two methods have been widely used to fabricate devices and masks with line widths above 2 microns. Although these two methods have been used to make sub-micron linewidth structures, they have not yet been able to walk out of the laboratory and are a long way from production applications. In the near future X-ray lithography is likely to be the cheapest way to make sub-micron linewidth structures
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