【摘 要】
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本文用紧束缚方法计算了化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构及CdTe的状态密度.计算中采用了每原子四个s-p指数衰减轨道为基函数和经验赝势哈密顿.与Cohen等的精确结果相
【机 构】
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辽宁大学物理系,辽宁大学物理系,辽宁大学物理系,辽宁大学物理系 鞍山钢铁学院
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本文用紧束缚方法计算了化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构及CdTe的状态密度.计算中采用了每原子四个s-p指数衰减轨道为基函数和经验赝势哈密顿.与Cohen等的精确结果相比较,发现:对AlSb,调整指数衰减常数,可以得到符合较好的导带、价带、带宽和带隙;对ZnSc和CdTe,则得到符合较好的价带和正确的能带图象,但导带的能量误差稍大些.
In this paper, we calculated the band structure and the density of state of CdTe in compound semiconductors AlSb, ZnSe and CdTe by using the tight binding method. Four sp exponential decay orbits per atom were used as basis functions and empirical pseudopotentials Hamiltonian. Compared with the accurate results, it is found that for AlSb, the exponential decay constant can be adjusted to get the good conduction band, valence band, bandwidth and band gap. For ZnSc and CdTe, the good valence band and correct band Image, but the conduction band error slightly larger energy.
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