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来源 :硅酸盐学报 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
研究了1850℃高温烧结AlN/W多层体烧结应力状态和产生原因,结果表明AlN与W在1850℃共烧时,不同阶段烧结应力状态有所不同,在升温阶段,W层受平面拉应力作用,W层烧结速率降低,导致表面W膜内存在的大量空洞
【作 者】
:
梁彤翔
王英华
【机 构】
:
清华大学核能技术设计研究院,清华大学材料科学与工程系
【出 处】
:
硅酸盐学报
【发表日期】
:
1998年3期
【关键词】
:
应力
多层基板
电子封装
氮化铝陶瓷
烧结
stress
multilayer substrates
electronic packaging
AlN cer
【基金项目】
:
国家自然科学基金
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