PTCDA／ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析

• 作 者: 欧谷平 宋珍 桂文明 张福甲
• 机 构: 兰州大学物理科学与技术学院,湖南科技大学物理学院,北京机械工业学院基础部
• 出 处: 光谱学与光谱分析
• 发表日期: 2006年4期
• 关键词: 表面及界面 X光电子能谱(XPS) PTCDA/ITO Surface and interface X-ray photoelectron spectrosc
• 基金项目: 国家自然科学基金（60276026）和甘肃省自然科学基金（ZS031-A25-012-G）资助项目

利用X射线光电子能谱对PTCDA／p-Si有机／无机光电探测器中PTCDA／ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明，茹环上的C原子的结合能为284．6eV，酸酐中的C原子的结合能为288．7eV，并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象，界面处C（1s）谱中较高结合能峰消失，且峰值向低结合能发生化学位移；C=O键中O原子的结合能为531．5eV，C-O-C键中的O原子的结合能为533．4eV。