【摘 要】
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作为光纤通信用InGaAs(P)/InP雪崩光电探测器应优先考虑设计扩镉InP-pn结的异质结二极管。然而,严重的工艺问题是必须避免因晶体缺陷引起微等离子体的出现。因此,我们集中研
【机 构】
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Universitat,Universitat,Universitat,Universitat Stuttgart,Physikalisches Institut,Tei 14 D-7000 Stut
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作为光纤通信用InGaAs(P)/InP雪崩光电探测器应优先考虑设计扩镉InP-pn结的异质结二极管。然而,严重的工艺问题是必须避免因晶体缺陷引起微等离子体的出现。因此,我们集中研究了这类微等离子体的电学和噪声特性以及光学特性。采用专门制备的二极管,借助显微镜标尺,我们能够观察到单个微等离子体横跨pn结。使用标准非掺杂InP样品(Nd-Na=3.6×10~(15)cm~(-3)),在<111>和<100>晶向制作
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