【摘 要】
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研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性。实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高淀积非晶硅基薄膜的本底
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研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性。实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高淀积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。
The structure and preparation process of a new kind of amorphous PIN PIN heterojunction fluorescence detector are studied. The structural optimization design of the detector cell and the characteristics of dark current and sensitivity are discussed in detail. Experiments show that the α-SiC / α-Si heterostructure is used to improve the background vacuum of the deposited amorphous silicon-based thin film, and the preparation process is optimized to prepare an amorphous silicon fluorescence detector with high signal-to-noise ratio.
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