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温度梯度和表面电导作为影响盆式绝缘子表面电荷积聚和消散的重要因素却常被忽略.基于因GIL不同筒壁温度与中心电极构成的不同温度梯度而形成的表面电导率梯度和固体侧体积电导率梯度进行有限元仿真,研究温度梯度和电压幅值对绝缘子表面电荷积聚和消散的影响及GIL实际运行过程中的表面电荷积聚和消散主导机制及最适筒壁温度.研究结果表明,高压直流下盆式绝缘子表面电荷积聚和消散的主导机制均为体电导主导,表面电导的贡献比体电导小2个数量级,气体电导的贡献可忽略不计,绝缘子表面电荷积聚和消散均符合双指数函数模型,上表面电荷聚散相比下表面对温度梯度的敏感性更高,提高筒壁温度可有效削弱绝缘子表面沿面电场畸变、抑制表面电荷积聚并促进表面电荷消散,G1L最适筒壁温度在318 K附近.