【摘 要】
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本文介绍了提高J5960A型60kV离子注入机B~+束流强度的实验研究与改进工作。通过改进离子源和引出系统使机器的B~+束流由原来的几个微安提高到50μA,此外,还可用作注H~+、He~+
【机 构】
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本文介绍了提高J5960A型60kV离子注入机B~+束流强度的实验研究与改进工作。通过改进离子源和引出系统使机器的B~+束流由原来的几个微安提高到50μA,此外,还可用作注H~+、He~+、Be~+、C~+、N~+、O~+、F~+等。其中N~+、He~+、H~+的靶流可大于100μA,扩大了该机的应用范围,并提高了工作效率。
This paper introduces the experimental research and improvement work to improve B ~ + beam intensity of J5960A 60kV ion implanter. By improving the ion source and the extraction system, the B ~ + beam current of the machine can be increased from several microamps to 50μA. In addition, it can also be used to inject H ~ +, He ~ +, Be ~ +, C ~ +, N ~ +, O ~ +, F ~ + and so on. Among them, the target flow of N ~ +, He ~ + and H ~ + can be more than 100μA, which enlarges the scope of application and improves the work efficiency.
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