PECVD氮化硅技术

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等离子体化学汽相淀积(简称PECVD)技术,由于淀积温度低(<400℃);台阶覆盖性能好;生成的氮化硅薄膜结构致密;针孔少;具有良好的抗钠、抗潮湿、抗腐蚀性等优点。故已广泛地应用于半导体器件的表面钝化。现以DD-P250型等离子体淀积设备为例进行讨论。该设备由华东师范大学、上海元件 Plasma chemical vapor deposition (referred to as PECVD) technology, due to the low deposition temperature (<400 ℃); good step coverage; the resulting silicon nitride film structure dense; less pinholes; with good resistance to sodium, , Corrosion resistance and other advantages. It has been widely used in the semiconductor device surface passivation. Now DD-P250 type plasma deposition equipment as an example for discussion. The equipment from East China Normal University, Shanghai components
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