Si（100）和蓝宝石（0001）衬底上3C-SiC的Raman研究

• 作 者: 孙国胜 罗木昌 王雷 赵万顺 孙艳玲 曾一平 李晋闽 林兰英
• 机 构: 中国科学院半导体研究所
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2003年4期
• 关键词: 3C-SIC 碳化硅 拉曼光谱 RAMAN光谱 蓝宝石(0001)衬底 晶格失配度 热膨胀系数失配度 背散射 3C-SiC Raman spectrum S
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)

单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料,然而,由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度,在3C-SiC中会产生很大的内应力,直接影响3C-SiC的电学特性.Raman散射测试是一个功能很强的测试方法,其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息,其中包括内应力.利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜,在生长的所有样品中均观察到了典型的3C-